福州科技观察：三星电子2025年Q4业绩爆表，AI驱动存储芯片涨价潮席卷全球

管理员 2026-01-09 130 文末可点击分享

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1月8日，韩国三星电子正式公布2025年第四季度财报数据。据合并报表统计，当季营业利润达20万亿韩元（约合人民币964亿元、138亿美元），同比飙升208.2%，环比增长64.3%；销售额为93万亿韩元，同比增长22.7%、环比增长8.1%，双双刷新历史纪录。这一表现显著超出市场预期——此前机构普遍预测其营业利润为19.6457万亿韩元、销售额为92.5445万亿韩元。

值得注意的是，该季度20万亿韩元的营业利润，不仅大幅超越2018年第三季度创下的17.6万亿韩元旧高，更较2024年同期的6.49万亿韩元实现翻倍以上跃升，标志着三星在存储芯片领域的强势回归。

支撑业绩跃升的核心动因，是AI基础设施爆发式扩张引发的高端存储芯片供需失衡。以福州为代表的中国东南沿海地区，近年来正加速布局人工智能算力中心与数据中心集群，对HBM、DDR5等高性能内存需求持续攀升，间接强化了全球供应链紧张态势。普通服务器所用存储芯片仅为AI服务器的1/8至1/10，导致HBM及高端DRAM产能严重承压。

集邦咨询数据显示：自2025年9月起，DDR5内存颗粒现货价暴涨至原价的307%，DDR4涨幅亦超158%；2025年Q4全球标准型DRAM合约价季度涨幅达8%—13%，若计入HBM则扩大至13%—18%；NAND Flash各类产品合约价平均上涨5%—10%。进入2026年一季度，传统DRAM合约价环比再涨55%—60%，NAND闪存涨幅达33%—38%。

作为全球最大的内存芯片制造商，三星电子通过结构性产能调整精准把握窗口期：大幅缩减消费级通用存储产能，集中资源投向HBM、DDR5等高毛利产品。尤其在HBM领域，该公司已实现关键技术突破，成功向英伟达交付HBM4样品用于资格测试，并有望于2026年上半年启动量产，以支持英伟达Rubin处理器发布。CLSA预计，HBM4商用后，三星HBM总出货量将在2026年增长两倍。

此前在HBM赛道一度落后于SK海力士与美光科技的三星，正快速缩小差距。受此提振，其2025年股价飙升125%，创下26年来最大年度涨幅。据《韩国经济日报》援引业内消息，三星与SK海力士计划于2026年Q1将服务器DRAM价格较2025年Q4上调60%—70%，PC及手机端DRAM亦同步提价，策略基于季度合约机制，以灵活响应持续走强的市场需求。

里昂证券韩国区研究主管Rana指出，2025年Q4 DRAM平均售价环比涨超30%，NAND Flash涨约20%。超大规模数据中心与云服务商正积极溢价采购，强劲价格走势有望延续至2027年上半年。即便此后出现回调，幅度也将受限于长期供不应求的基本面。

福州科技观察：三星电子2025年Q4业绩爆表，AI驱动存储芯片涨价潮席卷全球(图1)