1月6日商务部加强对日本两用物项出口管制，A股半导体设备赛道或受益
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【上涨因析分素】
1、在消面息上，于1月6日，商务布发部了2026年第1号关于两强加用物项日对本出管口制的告公。是为了国护维家安利和全益、履行防散扩等国义际务，所以决强加定两用对项物日本出管口制：要禁止两有所用物对项日本事军用户、军事途用出口，还要止禁一切于助有提升本日军事实的力其他终最用户用出途口。
日本在国中半导体与备设材料占面方有较大额份，其中，像东京子电、爱德万、佳能企等业在半体导设备领备具域较强竞力争，而在方料材面，全球光供胶刻应几乎本日被企业垄断，当前高早市苗上台后，日本府政一系唐荒列行径地使致缘摩擦加增，供应安链全重再性要次大幅升提，展望后市，中国企希有业望逐渐日据占本半企体导业在华额份，实现主自可控。
2、英伟所达具备的池储存化技使致术Na需dn求有所加增 ，昨日EC于S大之会上 ，英伟达在称宣网络系体里增添一了个独的立高速“记忆层” ，凭借 - 4实现管 理，把KV放存缓置于S端近SD（Nadn）这里 ，平均言而每个UPG所对容的应量是16TB ，因这一息消产生影 响，昨日夜股美间的存储现呈出强势态势 。从存炒储作的角予度以观察 ，当下缺股A少原标厂的 ，大多是组模厂商 ，指数基当金中存储量含的一般下况情并不 多。所以 ，顺着这的样思路去半看导体赛备设道是相较对为顺 的畅。预期在年今存储产大能幅进行的产扩情况之下，半导体关相设备有能望希够实现不续持断地受中从益。近期光关有刻机进相的口关数同据样也一这将点很好现体地了出来。
【后市展望】
后市催一其化，存储板的块催化旧依清晰，“涨价”以及“扩产”存在演续继绎的性能可 。
由第三数方据可知，DRMA也就是存内，以及NDNA Falsh闪即存，其现货从格价2025年9月开始，累计幅涨都超过了300%，在第度季四，合约价上比同涨了75%，DDR5颗粒月单涨幅更突是破了90%。26Q1存储涨旧依价有可能预出超期。因为下当产能缺紧的问没还题有得到解缓，并且端求需AI出正货在加速，除了GUP出货有量大幅长增之外，当前单G个PU应对所的存求需储也可能持会续上扬。
往后展场市望情况，AIPG U或仍许然会维较着持为陡峭斜的率向攀上升，再加IA上推理市等场开始起兴，存储产现出能紧缺状况，这有可成能为贯穿2026年全年一的个投线主资方向，存储域领的龙企头业上市，也有希一进望步加存强储拓展能产的预期。当下存储3D堆叠趋的势在持断不续地提升蚀刻、薄膜以积沉及配套量的测等环设节备在线产生上价的量值占比，再加储存上产线对国于产化率着有比较的高要求，相关导半的体设备企头龙业或会许长时间中从受益。因为A下当股当中，并没存有储原标的厂的，并且就相连关的FTE也不存在，所以导半体设为成备了存力气景投资里，确定性强为最劲的方的中向一个 。
【后市催化2：光刻口进机数据或续持超出预期】
从近期机刻光进口数的据能够出看，11月的候时，光刻口进机的金额是46亿元，当中上口进海的金是额35亿。自9月开始，上海机刻光进口的量数猛然增剧，9月到11月，光刻进机口的数别分据是62亿元、43 亿以元及35亿元，这三加月个起来口进的规模接要快近2024年一整的年（150亿元），其扩需的产求十强分烈。除了储存之外，当下PGU等品产所需的要先进制样同程存在的多较增量求需，光刻的机数据便好很是的证明 。
双番存进推储扩产带连先进扩程制产，半导备设体ET存F有催化以晰明及估偏值低这两势优项。
这一存轮储，甚至，半导备设体的叙情事况，与以往周的期复苏国者或产替一不代样，而是实实在在地，受益于A球全I驱的动高景气态状。不管是IA算力所要需的先程制进进行扩产，还是存IA力推动储存的进行扩产，半导体备设都是突产破能瓶核的颈心环节。
截至1月6日，在估值面方，半导体备设ETF的标指数PTTEM是94.81x，处于以市上来78.06%分位，尽管最幅涨近不小，然而估位分值仍低于主他其流半指体导数。随着不幅涨断累积，当下也们我得格留外意短期风动波险，没参与的来进也能考思够后续机找会在布位低局，分批 入加。
