1月7日上午收盘沪指震荡拉升，半导体ETF半日涨6.7%

【金色港湾资讯网为您推荐阅读】

1月7日上午，沪指在早盘时段震荡着进行拉升，创业板指冲高之后出现回落，沪深两市在半日的成交额达到1.84万亿，相较于上个交易日放量了538亿，。有关ETF的情况，广发中证半导体材料设备ETF，在半日的时段之内，出现了上涨幅度为6.7%的情况，于其成分股当中，南大光电，括弧.SZ，以及芯源微，括弧.SH，呈现出20cm幅度的涨停态势，安集科技，括弧.SH，上涨幅度达到了16.98%，珂玛科技，括弧.SZ，上涨幅度为11.94%，上海新阳，括弧.SZ，上涨幅度是11.71%，晶瑞电材，括弧.SZ，上涨幅度有11.62%，神工股份，括弧.SH，上涨幅度为11.05% 。

1月6日晚，北方华创（.SZ）披露消息，公司收到实际控制人北京电子控股有限责任公司通知，该公司已收到北京市人民政府国有资产监督管理委员会出具的《批复》，北京市国资委同意北京电控以非公开协议转让方式，向国新投资有限公司转让其所持北方华创1448.18万股股票，占上市公司总股本的2%，股份转让价格为426.39元/股。

除此以外，AMD于CES展会上发布了自家的MI455 GPU芯片，还声称基于此芯片的系统在性能指标方面达成了极大飞跃。SK海力士在CES上首度展示了容量为48GB的16层HBM4，这属于其新一代高带宽内存也就是HBM产品。该芯片是容量为36GB的12层HBM4的下一代产物，当下正依据客户的进度表进行同步开发。同时，今年会主导市场的容量为36GB的12层HBM3E也在展会上同步亮相了。

隔夜美股半导体概念股持续走高，是因为受英伟达（NVDA.US）CEO黄仁勋在拉斯维加斯消费电子展上的影响，他强调了内存与存储需求的重要性，有市场消息声称，三星与海力士已然向DRAM客户提出了涨价，并且Q1报价将会比去年Q4上涨60%-70%。

国内层面，国产DRAM产业迎来重要进步，长鑫存储科创板IPO已被受理，打算募集资金295亿元用以技术升级以及前瞻研发。爱建证券表明，此次融资会加快其工艺平台朝着更高代际跨越，并且推动国产存储产业链整体进步。当下全球DRAM市场依旧由韩美厂商主导，不过国产厂商已在主流产品线上达成突破，长鑫存储已推出通过JEDEC认证的DDR5以及内存产品。AI以及高性能计算，对存储带宽的需求，持续呈现增长态势，与此同时，海外巨头的扩产节奏，渐渐趋于缓慢，在此情形下，国内的存储厂商，面临着具有历史性意义的替代机遇。

中国银河证券表明，在2025年12月时，半导体板块因产业链涨价潮、AI需求持续以及国产替代逻辑强化这几方面共同推动，从而走出一轮结构性行情。在外部环境这样的背景状况下，供应链安全与自主可控属于长期趋势。设备与材料经国产替代顶层设计，当中逻辑最为强硬，数字芯片是算力自主的核心载体，先进封测因技术升级而受益。